Intel giới thiệu tiến trình 10nm SuperFin, tiết kiệm điện tương đương 7nm của TSMC và Samsung
Vừa rồi, Intel đã công bố một số thông tin kỹ thuật về tiến trình mới nhất của họ, cụ thể là 10 nm SuperFin. Qua đó, Intel cũng sẽ thay đổi danh pháp (nomenclature) của tiến trình luôn, thay vì là ## nm++ (mỗi dấu + là một cải tiến) như trước đây thì bây giờ sẽ đặt tên theo dạng chi tiết hơn. Tiến trình 10 nm SuperFin là phiên bản cải tiến đầu tiên của tiến trình 10 nm từng xuất hiện lần đầu cùng với vi xử lý thế hệ 10 “Ice Lake” ra mắt hồi năm 2019, và đồng thời hứa hẹn là sẽ tiết kiệm điện năng tương đương với tiến trình 7 nm của TSMC và Samsung. Theo Intel thông báo thì trong khi những phiên bản cải tiến của thế hệ trước tiết kiệm điện hơn từ 3% đến 5% so với phiên bản tiền nhiệm, 10 nm SuperFin lần này sẽ có mức độ cải thiện tương đương với một tiến trình mới hoàn toàn.
Tiến trình 10 nm SuperFin bao gồm 2 cải tiến quan trọng là tụ điện SuperMIM và bóng bán dẫn FinFET được thiết kế mới. Tụ điện SuperMIM (metal insulator metal) sẽ giúp tăng gấp 5 lần điện dung so với các thiết bị khác trong cùng nhóm. Còn FinFET mới thì sẽ có một rào chắn (barrier) mới với mức điện trở giảm 30%. Kết hợp lại, tiến trình 10 nm SuperFin sẽ giúp chip có đường cong V/F tương đương với việc lên hẳn một tiến trình mới mà không phải thay đổi mật độ bóng bán dẫn. Sản phẩm đầu tiên được xây dựng dựa trên tiến trình này là vi xử lý Intel Core “Tiger Lake” chuẩn bị ra mắt trong thời gian tới. Intel cũng đang cải thiện tiến trình này để nó phù hợp hơn cho các trung tâm dữ liệu.
Nguồn: TechPowerUp
